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硫化锗具有独特的光学和电子变速性能，以及其高稳定性、储量丰富、环境友好、低毒等性能,更为重要的是其禁带宽度小，硫化锗薄膜具有吸收单电子的多态激子的潜力，有望应用于新型光电探测器件。由于锗和硫的熔点和沸点均具有较大差距，同时，又由于在硫和锗的反应过程中易生成硫化锗及其他锗的化合物，而想将其应用于器件，比较好的办法是将其制备成薄膜，迄今为止，还没有有效地能大面积制备一硫化锗薄膜的方法报道。
虽然硅与锗同属于一个主族元素，但锗易与硫生成硫化锗和二硫化锗，而硅则不与硫直接反应生成硫化物。锗的硫化物特别是硫化锗的升华挥发温度较低，约800-1000℃，因此只要将高硅锗原料中的锗暴露出来，不被包裹，并有充分的元素硫与之结合，800℃左右就能反应生成硫化锗升华挥发出来。随着温度升高，硫化锗与硫接触生成二硫化锗，这时的二硫化锗没有升华特性，但在1000℃左右仍然能大量挥发出来。再提高温度，对硫化锗的挥发意义不大，反而会使二氧化硅熔融，产生包裹现象，降低硫化锗的挥发率。
二氧化锗是微波辐射的透过体，不吸收微波辐射，但硫化钠，硫单质及反应生成的硫化锗，硫化锗是高吸收微波辐射的物质，因此当采用微波辐射进行硫化挥发时，只有其中的硫化物选择性吸收微波辐射，产生瞬间高温，使锗与硫反应生成硫化锗，而硫化锗继续吸收微波辐射，达到升华和挥发的温度，微波辐射透射性很强，而且均匀，硫化锗的挥发效率高，也不会产生过高的局部高温，所得的主要是硫化锗，利于后续工序处理，较之烟化炉，回转窑的间接加热方式和通过介质进行热传导优越。用烟化炉或回转窑进行硫化挥发，由于是以燃料燃烧提供热量，不可避免地产生部分硫化锗的氧化，因此得到的是硫化锗与氧化锗的混合物。
日前，美国科学家最新设计了一种微型电池，这种微小粉红色纳米结构可以彻底颠覆传统电池设计，以独特的表面结构存储能量。这种“纳米花”是由硫化锗（一种半导体材料）制成，其花卉外形以更小的空间具有更多的表面结构来存储能量，这将成为理想的能量存储应用，例如智能手机电池。
一种一硫化锗薄膜制备方法，步骤如下:
1)称取20mg的硫化锗粉末放入30mL的乙醇溶液中，使用超声波清洗机超声震荡15min，加入聚苯乙烯，形成紫黑的悬浊液。
2)将悬浊液平均倒入两只离心管中，放入离心机中离心7min，离心机的转速为2000r/min，离心后取上层清液于50mL的烧杯中。
3)称取10mg的碘粉加入离心得到的上层清液中，再次超声震荡10min，使碘粉颗粒充分分散在乙醇中。
4)将需要沉积硫化锗薄膜的ITO基片连接直流稳压电源的负极，将金属铂片连接直流稳压电源的正极，然后将金属铂片与ITO基片保持平行并浸没在硫化锗粉末与碘的悬浊液中，二者间距1cm左右，如1.1cm。
5)打开直流稳压电源，调节电压为30V，施加在ITO基片与金属铂片之间，注意正负极不要接反，并开始计时5min。
沉积开始以后，可以在直流稳压电源的显示器上看到有电流示数产生，这说明有硫化锗颗粒正在ITO基片上沉积。计时结束后将ITO基片从悬浊液中取出来，然后在电热鼓风干燥箱中烘干，去除薄膜表面的碘杂质，从而得到纯净的硫化锗薄膜。
(1)将质量比为2:1的碳酸钙和纯度水平为99.5％的单质钙的混合物和质量比为4:3:3的纯度水平为99.9％的锗粉、二氧化锗、一氧化锗的混合物以摩尔比为1:1的量装载到石英管中，在真空封管机上排出至毫托压力，在真空下利用氢氧焰炬密封，在1000℃下退火20小时，冷却至室温后，将反应产物在20w％的HCl溶液中搅拌5天，温度控制在-20℃，得到产物后，依次用超纯水，甲醇洗涤，干燥得到纯化的锗多层石墨烯类似物GeH。
(2)将上述产物GeH和纯度水平为99.5％的硫粉以1:5的摩尔比添加到石英管中，利用真空封管机，在真空下密封，然后在800℃下退火8小时，冷却至室温后，依次用二硫化碳和超纯水洗涤，干燥，得到层状硫化锗。
[1]徐键, 夏海平, 张约品, 章践立, & 王金浩. (2004). 不同先驱体溶胶-凝胶法制备的硫化锗玻璃薄膜. 硅酸盐学报, 32(8), 1029-1032.
[2] 顾少轩, 马志军, 潘瑞琨, 陶海征, & 赵修建. (2008). 脉冲激光沉积硫化锗-硫化稼-硫化镉非晶薄膜的结构和性能. 硅酸盐学报(12), 1725-1729.
[3] Shaoxuan, Haiping, Haizheng, ZHAO, & Xiujian. (2005). Properties and microstructure of ges2-ga2 s3- cds glasses. 武汉理工大学学报：材料科学英文版, 20(4), 120-122.