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砷化镉化学式Cd3As2。分子量487.04。灰黑色立方系晶体。有毒!熔点721℃，相对密度6.2115。易溶于硝酸，微溶于盐酸，不溶于水和王水。遇酸能释放出AsH3，遇氧化剂则能燃烧。制法：通砷于硫酸镉的弱氨溶液即得。如将镉和砷在惰性气体中加热，得到的砷化镉产物是淡红色晶体，为非离子性结构。用途：作化学试剂。
砷化镉应用举例如下：
1）制备一种基于砷化镉薄膜的被动锁模光纤激光器，采用环形腔结构，由波分复用器第二端、增益光纤(3)、隔离器(4)、光纤耦合器(5)、偏振控制器(6)、砷化镉可饱和吸收体(7)、单模光纤、波分复用器第三端依次连接成环状，隔离器的另一端连接光纤耦合器输入端，光纤耦合器的第一输出端作为脉冲激光输出，第二输出端在环路连接偏振控制器的第一端；偏振控制器另一端连接砷化镉薄膜可饱和吸收体的一端，砷化镉薄膜可饱和吸收体第二端和单模光纤第一端相连；泵浦源通过波分复用器的第一端即泵浦输入端将泵浦光耦合注入稀土掺杂的增益光纤中，利用砷化镉在近红外及中红外波段具有超快可饱和吸收特性，实现高脉冲能量锁模脉冲输出。
2）一种砷化镉纳米簇的制备方法，具体涉及一种可用于大量制备砷化镉纳米簇的合成方法。本发明利用砷化物与无机酸反应制取AsH3气体，并同时将气体通入到N2保护的羧酸镉的十八稀溶液中进行反应，生成Cd3As2纳米簇化合物。本发明制备的纳米簇有着十分尖锐对称的吸收及荧光峰，表现出较好的发光性质，具有良好的单分散性，整个反应操作简单，所有反应物成本相对便宜且利于保存，并且可以大量合成，反应过程不使用有机磷。
3）一种利用分子束外延设备生长大尺寸砷化镉薄膜的方法。本发明方法，利用云母作为衬底，首先生长碲化镉作为缓冲层，利用砷化镉非晶块体材作为热蒸发源，以较低温度生长砷化镉低温缓冲层,随后在较高温度生长砷化镉薄膜至所需厚度。本发明与现有技术相比，使用经济的云母作为衬底，衬底处理工艺简单，采用非晶砷化镉蒸发源对设备要求低，工艺简单可获得晶圆级单晶薄膜，样品尺寸可达两英寸；薄膜单晶质量好，迁移率高。薄膜单晶质量好，迁移率高。
4）一种砷化镉量子点的制备方法。本发明利用砷化物与无机酸反应制取AsH3气体，并同时将制备的AsH3气体通入到N2保护的羧酸镉的十八稀溶液中进行反应，生成Cd3As2纳米簇化合物，再以制得的Cd3As2簇为反应前体，以有机胺为配体，以十八烯为溶剂，在不同温度下以热注入的方法反应5~10分钟即可得到不同尺寸的Cd3As2量子点。本发明制备的量子点有着较好的近红外发光性质，有良好的单分散性，尺寸可调，光谱可调范围宽，整个反应操作简单，所有反应物成本相对便宜且利于保存，并且可以大量合成。
[1]化合物词典
[2] CN201710008206.2基于砷化镉薄膜的被动锁模光纤激光器
[3] CN201410191155.8一种砷化镉半导体纳米簇的制备方法
[4] CN201810377140.9一种利用分子束外延设备生长大尺度砷化镉薄膜的方法
[5] CN201410191161.3一种砷化镉量子点的制备方